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退磁机磁化反转导致低功耗自旋电子元件易失性

2019-08-02 10:03:42

退磁机磁化反转导致低功耗自旋电子元件易失性


磁化反转只需要应用电场会导致低功耗自旋电子元件通过消除传统磁开关的方法。这里我们显示非易失性,室温磁化反转取决于电场ferromagnet-multiferroic系统的影响是可逆的,由一个界面磁耦合由热能。这种电场控制的磁电设备展示了下一代的大道,低能消耗自旋电子学。


A、平面M(H)曲线在室温下测量每45°从钴铁/拍频振荡器异质结构。英国国教会增长领域的应用(黑色开放圈)或垂直(灰色(红色)开放圈)净平面极化方向(Pnet IP)。(b)平面烤瓷拍频振荡器的形象。(c)XMCD-PEEM钴铁/拍频振荡器异质结构的图像。灰色(蓝色)和黑色箭头(b)和(c)对应的平面投影极化铁电域的每个拍频振荡器和磁时刻钴铁层,分别重用和权限。


B、平面之前烤瓷图像(a)和(b)切除后钴铁点从一个成熟AMR结构。白色箭头给Pnet IP钴铁点下面的方向。(c)后130千伏•cm - 1脉冲的应用。(d)IP-PFM形象成熟和逆转州ofPnet IP共存,每一个铁电域的旋转是由箭头表示。(e)另一个结构,转了130千伏•cm - 1和-130千伏•cm - 1脉冲。(f)-(h)相场模拟的功能增加铁电切换的时间。


C、打开黑色圆圈显示高场(2000 Oe)AMR响应(顶部面板)。低场(20 Oe)AMR成熟状态响应是策划与开放红圈(第二面板从上)。开放的蓝色圆圈显示低场AMR经过脉冲电场的130千伏•cm - 1在零磁场(倒数第二个面板)。应用-130千伏•cm - 1电场脉冲导致的复苏阶段的成熟低场AMR响应(开放的绿色圆圈,下半部分)。(b)、(c)表示一对一磁性接口耦合的钴铁/拍频振荡器异质结构(b)成熟国家和(c)后第一个电脉冲。